6月23日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶棒内部空洞的无损检测系统及方法”的专利，授权公告号CN117074518B，授权公告日为2026年6月19日。申请公布号为CN117074518A，申请号为CN202310969171.4，申请公布日期为2026年6月19日，申请日期为2023年8月2日，发明人宋猛、王旗、徐光明、高超、窦文涛、周敏、高立志、刘欣、张红岩、舒天宇，专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师邢伟，分类号G01N27/90。
专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅晶棒内部空洞的无损检测系统，该无损检测系统包括涡流探头、变频交流电发生器、第一涡流探测传感器、第二涡流探测传感器、定位探头、终端和样品托。本发明通过涡流探头和第一涡流探测传感器的配合，确定检测点下方存在空洞，并初步判断空洞位置，同时通过定位探头和第二涡流探测传感器的配合，实现了空洞位置的确定。本发明在对碳化硅晶棒的空洞检测的过程中，无须采用切片显微检测的方式，不会对碳化硅晶棒产生破坏，在检测完成后碳化硅晶棒仍可继续使用，同时可以确定空洞位置，便于根据空洞位置对存在空洞的碳化硅晶棒进行后续处理。
配资知识百科知识天岳先进成立于2010年11月2日，于2022年1月12日在上海证券交易所上市，注册地址与办公地址均涉及山东省济南市。该公司是国内领先的碳化硅衬底制造商，具备领先的技术优势和产能规模，极具投资价值。
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天岳先进主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，属于半导体材料、科创企业同股同权、智能电网概念板块。
在2025年经营业绩方面，天岳先进营业收入为14.65亿元，行业排名9/26，低于第一名有研新材的95.42亿元和第二名雅克科技的86.11亿元，高于行业中位数11.14亿元，但低于行业平均数19.89亿元。主营业务中，碳化硅半导体材料收入12.25亿元，占比83.62%，其他(补充)收入2.4亿元，占比16.38%。净利润为-2.09亿元，行业排名24/26，远低于第一名雅克科技的10.3亿元和第二名江丰电子的4.14亿元，也低于行业平均数3265.85万元和行业中位数8178.71万元。
山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610410657.82026-03-31CN122013320A2026-05-12周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏2一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控装置发明专利公布CN202610414730.92026-03-31CN122147534A2026-06-05党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪3一种氧化镓晶体同步生长装置及生长方法发明专利公布CN202610402210.62026-03-30CN122147528A2026-06-05周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏4一种高平整度碳化硅晶棒及其制备方法、制备装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610004935.X2026-01-05CN121989120A2026-05-08刘硕、宋猛、王凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪5一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳及其制备方法发明专利授权CN202511632233.82025-11-10CN121076115B2026-02-24郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马健硕6一种高耐压球形多孔碳及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511382485.X2025-09-25CN121342017A2026-01-16郭兆靖、宋福州、梁庆瑞7一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法发明专利公布CN202510946435.32025-07-09CN120945487A2025-11-14陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、高超8一种氧化镓晶体向下生长的长晶装置及长晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810956.62025-06-17CN120575323A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生9一种顶部籽晶生长氧化镓单晶的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810955.12025-06-17CN120575322A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗10一种新型布里奇曼法氧化镓单晶生长用坩埚及生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810954.72025-06-17CN120591880A2025-09-05周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春11一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510701883.72025-05-28CN120568822A2025-08-29刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林12一种低位错、高平整度的碳化硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510335295.62025-03-20CN120138807A2025-06-13王振行、赵建国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、高超13一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510122558.52025-01-26CN119824542A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏14一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及生长设备、生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124261.22025-01-26CN119824545A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强15小应力晶体和衬底及可控降温速度的晶体生长装置和晶体生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124260.82025-01-26CN119824544A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏16一种P型晶体及液相生长装置和液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124259.52025-01-26CN119824543A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家朋、周敏、宋建、石志强17一种长晶炉测温仪的校准检测装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510017290.92025-01-06CN119803729A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国18一种高效长晶炉测温仪的校准检测方法、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202510017294.72025-01-06CN119803730A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国19一种黑磷碳负极及其合成方法和合成设备、包括其的电池发明专利实质审查的生效、公布CN202510017292.82025-01-06CN119812276A2025-04-11郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞20一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758464.92024-12-03CN119372783A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇21一种半导体单晶的液相生长设备和液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758461.52024-12-03CN119372759A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕22一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758462.X2024-12-03CN119372760A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴23一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411758469.12024-12-03CN119571461A2025-03-07党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩24一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411758466.82024-12-03CN119615370A2025-03-14党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓25一种行星式旋转切割半导体的切割设备和切割方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411665032.32024-11-20CN119388604A2025-02-07张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生26一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411665030.42024-11-20CN119507050A2025-02-25张九阳、高超、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪27一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411665021.52024-11-20CN119507049A2025-02-25张九阳、高超、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩28一种精准定位开装的感应炉发明专利实质审查的生效、公布CN202411657186.82024-11-19CN119353918A2025-01-24张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛29一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411657191.92024-11-19CN119507047A2025-02-25张九阳、高超、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉30一种石墨化碳纤维布发明专利实质审查的生效、公布CN202411657187.22024-11-19CN119528488A2025-02-28张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明31一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411657189.12024-11-19CN119553368A2025-03-04张九阳、高超、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮32一种多炉台特殊气体综合利用设备实用新型授权CN202422696300.X2024-11-05CN223319575U2025-09-09李文强、张健、宋建、阴法波、周敏33一种测温装置实用新型授权CN202422678993.X2024-11-04CN223691884U2025-12-19张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高立志、张长银、滕永懂34一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411546268.52024-11-01CN119061481B2025-03-14宋猛、王振行、高超、王凯、薛成业、苗泽、许长波35一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法发明专利授权、公布CN202411546269.X2024-11-01CN119041030B2025-04-18宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、高超36一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411483925.62024-10-23CN119321804A2025-01-17张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高立志37一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411417854.X2024-10-11CN119287518A2025-01-10高宇晗、高超、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀38一种碳化硅晶体循环生产过程中废弃物料自动铲凿装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411335517.62024-09-24CN119077989A2024-12-06宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高立志39一种缝隙扳手实用新型授权CN202422144280.52024-09-02CN223466222U2025-10-24张会安、张健、宋建、周敏、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂40一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202411193279.X2024-08-28CN118848262A2024-10-29宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、高超41一种确定3C-SiC晶体晶向的方法及一种确定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标方向的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411193290.62024-08-28CN119104579A2024-12-10宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、高超42一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法发明专利公布CN202410997446.X2024-07-24CN118910714A2024-11-08党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵建国43一种新型碳化硅晶体生长坩埚实用新型授权CN202421404249.42024-06-19CN222809590U2025-04-29赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祥瑞44一种齿圈衬套内衬更换工装及更换设备实用新型授权CN202421153738.72024-05-24CN222289820U2025-01-03杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂45一种用于长晶炉感应线圈的升降装置及其安装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410640686.42024-05-22CN118497899A2024-08-16朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇46一种用于长晶炉感应线圈的升降装置实用新型授权、公布CN202421130329.52024-05-22CN222274793U2024-12-31朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇47一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件发明专利授权、公布CN202410586417.42024-05-13CN118147740B2024-08-13高超、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅48一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411279470.62024-05-13CN119121384A2024-12-13高超、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇49一种金刚石衬底的表面处理方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579028.92024-05-11CN118143760B2024-07-05王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明50一种大尺寸金刚石的拼接生长方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579038.22024-05-11CN118147748B2024-07-19王旗、朱灿、宋猛、刘硕、王凯、党一帆、宋生、李霞、宁秀秀、张九阳、方帅杠杆配资炒股开户流程
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