6月23日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的外延层结构形成方法”的专利。申请公布号为CN122248783A，申请号为CN202610719734.8，申请公布日期为2026年6月19日，申请日期为2026年5月25日，发明人谢斌根、董宗谕，专利代理机构重庆华科专利事务所（普通合伙），专利代理师田启爽，分类号H10D84/01、H10P76/20。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的外延层结构形成方法，属于半导体制造技术领域，所述方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底包括第一MOS区域以及第二MOS区域；形成覆盖第一MOS区域的抗蚀层；刻蚀第二MOS区域的衬底，形成第一沟槽；形成至少覆盖第二MOS区域的牺牲材料层；控制牺牲材料层的厚度以形成牺牲层，并去除抗蚀层；刻蚀第一MOS区域的衬底，形成第二沟槽；在第二沟槽中外延生长形成第一外延层结构，并在第一外延层结构的表面形成氧化层；去除牺牲层；刻蚀修整第一沟槽，形成第三沟槽；在第三沟槽中外延生长形成第二外延层结构。本发明能够实现差异化沟槽与外延层的形成，并且能够减少光罩使用数量。
元股证券:ygzq.hk晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省、香港特别行政区。它是国内重要的晶圆代工企业，专注12英寸晶圆代工，具备先进工艺研发能力。
晶合集成所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，涉及MCU概念、汽车芯片、芯片概念等板块，主要从事12英寸晶圆代工业务，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的代工服务。
2025年，晶合集成营业收入108.85亿元，行业排名4/7，与第一名中芯国际673.23亿元、第二名华虹宏力172.91亿元有差距，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工103.57亿元，占比95.14%。净利润4.66亿元，行业排名4/7，第一名中芯国际72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数9.67亿元，中位数4.66亿元。
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合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1半导体器件的外延层结构形成方法发明专利公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕2安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小3图像传感器及其制作方法发明专利公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛4接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕5半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕6一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩7集成功率器件及其制备方法发明专利公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全8一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平9检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬10LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧11一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳12一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏13半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强14一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏15芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬16半导体结构及制备方法发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春17一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲18光阻层的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明19半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚20半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露21用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟22OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙23一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜24深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉25一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾26降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽27半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛28半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤29静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁30一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞31一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞32一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷33一种接触孔及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳34半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕36半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕37一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊38半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕39光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙40电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼41伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春42一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃43黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明44一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩45一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春46晶体管结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃47铝衬垫制备方法及半导体发明专利实质审查的生效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕48一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛49半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀50半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健杠杆配资炒股年度排行
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